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5/27 G230 氮化鎵功率元件資深應用工程師/技術副理

  • 新竹市
  • 3年以上
  • 大學

This power device application engineer will be part of TASC WBG (wide-bandgap) Device team and responsible for GaN power device promotion and design-in with customers. This position will be deeply co-working with device designers and field application engineers from research, development to mass production. The applicant must be familiar with GaN HEMT device physics as well as power electronic circuits. Core Responsibilities • 擬定產品驗證計畫，與封測部門合作執行產品功能驗證與糾錯，產出驗證報告 • 主導產品規格書(Datasheet)內容訂定、撰寫與整合編寫 • 負責產品推廣所需技術資料之產出 (Application Circuit Schematic，Evaluation Board設計製作，與Application Note) • 解決FAE反饋之客戶端開發或應用階段之技術問題

待遇面議 上市上櫃 員工840人
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0~5人應徵

5/27 工研院電光系統所_功率元件製程開發實習生(N100)

  • 新竹縣竹東鎮
  • 經歷不拘
  • 碩士

~暑期實習亦可~ 1. 碳化矽、氮化鎵、氧化鎵功率元件製程整合、元件特性分析、失效分析 2. 功率元件光罩繪製、下線製作與時程管控 3. 無塵室元件製程機台操作 ★實習表現優異，將優先預聘。 ★提供免費多元自主學習平台(天下創新學院、哈佛商業

時薪183元以上 員工6000人 遠端工作
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6~10人應徵

5/27 工研院電光系統所_功率元件製程開發/製程整合工程師(N100/新竹/台南沙崙)

  • 新竹縣竹東鎮
  • 經歷不拘
  • 碩士

1. 碳化矽功率元件設計 2. 化合物半導體功率元件設計與模擬分析 3. 功率元件光罩繪製、下線製作與時程管控 4. 功率元件功能量測與技術開發 ※ 本職缺將視計畫需求，安排工作地點 (新竹竹東/台南沙崙)

待遇面議 員工6000人
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11~30人應徵

5/28 (TC40)氮化鎵 ( GaN )功率元件開發工程師

  • 新竹市
  • 經歷不拘
  • 碩士

碩士以上電機、電子、物理、機械等理工相關系所畢，對氮化鎵元件開發及系統應用有興趣，具企圖心，態度負責積極，無經驗可. 工作內容: (1) 氮化鎵元件設計和製程開發 (2) 氮化鎵元件特性量測與分析 (3) 良率改善 (4) 可靠度改善 (5

待遇面議 員工1500人
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6~10人應徵

6/01 [竹北]產品(資深)工程師

  • 新竹縣竹北市
  • 5年以上
  • 碩士

1.CP/FT產品良率分析和提升 2.與晶圓/封測廠合作解決因製程異常而產生的良率及生產問題 3.CP/FT測試縮減及工程分析 4.RP量產後產品之工程處理及分析 5.協助RMA相關分析及資料提供 6.協助可靠度相關資料&實驗進行 7. 其他主管分配事務

待遇面議 員工200人
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11~30人應徵

5/27 VIS220123-氮化鎵磊晶設備工程師(桃園廠)

  • 桃園市蘆竹區
  • 1年以上
  • 專科

世界先進看好第3類半導體應用於電動車、綠能、5G基地台、雷達與快速充電技術等領域的潛能，積極投入研究氮化鎵（GaN）晶片製程技術平台，目前已成功完成驗證正式進入量產，並積極尋找磊晶設備專業人才加入我們的行列。提供以下職缺資訊，若您想要進一步了解，

待遇面議 上市上櫃 員工6000人
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6~10人應徵

5/27 VIS220126-氮化鎵磊晶製程工程師(桃園廠)

  • 桃園市蘆竹區
  • 1年以上
  • 專科

世界先進看好第3類半導體應用於電動車、綠能、5G基地台、雷達與快速充電技術等領域的潛能，積極投入研究氮化鎵（GaN）晶片製程技術平台，目前已成功完成驗證正式進入量產，並積極尋找磊晶製程專業人才加入我們的行列。提供以下職缺資訊，若您想要進一步了解，

待遇面議 上市上櫃 員工6000人
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11~30人應徵

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推薦工作

5/27 MOSFET 研發專案經/副理

  • 新竹縣竹北市
  • 10年以上
  • 碩士

1. More experience (> 10-15 Yrs) for MOSFET design and process development. (1)Device simulation (TCAD simulation) and layout design. (2) Plan DOE design of power semiconductor devices, T/O, co-work with foundry to develop process. (3)Data analysis and trouble shooting. 2. Build patent for new design.

待遇面議 員工190人
0~5人應徵

5/31 電源資深設計工程師

  • 新竹市
  • 3年以上
  • 碩士

1. 參與產品設計、開發，進行功能和性能測試，以確保符合產品品質。 2. 負責PCB layout，評估和電子元件選用，產出BOM表。 3. 具有電源轉換（AC/DC、DC/DC、DC/AC）的線路設計(20W~800W)、規格訂定、成本分析，能夠進行有效的模擬和分析。 4. 新產品認證(安規、EMC)問題解決及對策擬定

待遇面議
0~5人應徵

5/31 Senior MOSFET Design Engineer

  • 新北市中和區
  • 5年以上
  • 大學

1. MOSFET device research and development, especially Trench MOSFET/ SGT/ SJ. a). Define device layout design and product design rule b). TCAD simulations to build device structure c). Device measurement d). DOE plan for MOSFET new product 2. Interface with Product engineer and Marketing. 3. EFA/ PFA for trouble shooting 4. Build related patent for new design

月薪60,000元以上 員工100人
11~30人應徵
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