高速PD研發工程師

工作職責： 1. 負責資料通信應用的高速探測器 (GaAs/InP based Photodetector）的晶片設計和研發。 2. 負責器件設計，工藝流程，測量表徵，分析，開發產品線平臺。 3. 與團隊協作反覆運算和改善器件的性能及可靠性。 能力要求： 1. 碩士及以上學歷，光電，微電子，電子工程，物理等相關專業。 2. 有2年以上GaAs/InP高速探測器開發經驗。 3. 在PD領域內發表過學術文章、具有專利，或在該領域具有其他重要貢獻。 4. 熟悉理解半導體製造工藝，如光刻、濕法/幹法蝕刻、電介質/金屬沉積。 5. 對高速 III-V 族（GaAs, InP）PD 的器件工作原理和優化方向有深刻的認知。熟練掌握探測器測試表徵方法。 6. 熟悉高速RF相關設計方法。 7. 熟練使用DC和RF測試設備，可以對器件參數提取特性分析。 8. 具備良好的口頭和書面溝通協作能力。 9. 做事認真細緻，思維縝密。 10. 積極進取，有責任心，有長期深耕光電晶片行業的熱情及不斷學習、創新的勇氣。